Tamanho, participação e análise de tendências do mercado de dispositivos semicondutores GaN até 2031

A InsightAce Analytic Pvt. Ltd. anuncia o lançamento de um relatório de avaliação de mercado sobre o "Mercado Global de Dispositivos Semicondutores GaN -(Por Tipo (Opto-Semicondutor, Semicondutores RF, Semicondutor de Potência), Por Dispositivo (Semicondutor Discreto, Semicondutor Integrado), Por Aplicação (Lasers & de Raios, Drives de Potência (LiDAR, Drives Industriais, Drives E.V.), Fontes de alimentação & Inversores (SMPS, Inversores, Carregamento sem fios, Carregamento E.V.), Radiofrequência (R.F.),

Módulo Front-End (FEM), Repetidor / Booster / DAS, Radar & Satélite)), Por Vertical (Consumidor & Empresas de Negócios, Industrial, Automotivo, Telecomunicações, Aeroespacial & Defesa, Saúde, Energia & Power), Por Faixa de Tensão (Menos de 100 V, 100-500 V, Mais de 500 V)), Tendências, Análise da Competição da Indústria, Receita e Previsão para 2031.

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Um dispositivo semicondutor GaN (Nitreto de Gálio) é um componente eletrônico que o utiliza como material semicondutor para sua construção. O GaN é um material semicondutor avançado com várias vantagens sobre materiais tradicionais como o silício.

O recente aumento da procura de dispositivos semicondutores energeticamente eficientes também contribuiu para a sua crescente popularidade. As vantagens dos dispositivos semicondutores de GaN em relação aos dispositivos de silício contribuíram para o crescimento do mercado. Os materiais de silício são utilizados para produzir aparelhos electrónicos como smartphones, computadores, câmaras e televisores.

Por outro lado, os dispositivos semicondutores GaN, que são 100 vezes mais rápidos do que o silício, têm uma oportunidade devido ao abrandamento do potencial criativo do silício. Os dispositivos GaN superam os dispositivos de silício numa série de aspectos, incluindo maior velocidade, custos mais baixos e melhor eficiência energética.

A necessidade crescente de consolas de jogos, telemóveis, computadores portáteis e televisores irá provavelmente impulsionar o mercado de dispositivos semicondutores GaN na indústria da eletrónica de consumo. A procura de semicondutores de potência GaN no mercado das TIC aumentou devido à introdução da norma 5G, que aumentou a necessidade de estações de base e transístores de alta potência.

Lista de jogadores proeminentes no mercado de dispositivos semicondutores GaN:

• Wolfspeed, Inc. (EUA)
• Qorvo, Inc. (EUA)
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (US.)
• Infineon Technologies AG (Alemanha)
• Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japão)
• Mitsubishi Electric Group (Japão)
• NexGen Power Systems. (EUA)
• GaN Systems (Canadá)
• Efficient Power Conversion Corporation (EUA)
• Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (EUA)
• ROHM Co., Ltd. (Japão)
• STMicroelectronics NV (Suíça)
• NXP Semiconductors NV (Países Baixos)
• Transphorm, Inc. (EUA)
• Analog Devices, Inc. (EUA)
• Texas Instruments Incorporated,
• Navitas Semiconductor,
• Microchip Technology Incorporated,
• Powdec,
• Northrop Grumman Corporation,
• Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd,
• Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
• Renesas Electronics Corporation,
• Gallium Semiconductor,
• GaNpower

Dinâmica do mercado:

Drivers-

A crescente necessidade de produtos electrónicos de consumo, como computadores portáteis, smartphones, adaptadores de corrente, carregadores de alta velocidade, iluminação LED, dispositivos para casas inteligentes e dispositivos de jogos, deverá ter um impacto significativo no crescimento do mercado. A utilização de dispositivos semicondutores GaN na eletrónica de consumo aumenta a densidade de potência e a eficiência.

Melhoram as taxas de carregamento, prolongam a vida útil e consomem menos eletricidade. Os dispositivos semicondutores GaN, como as estações de base e outros equipamentos de rede, são também utilizados em aplicações empresariais. A sua capacidade de lidar com alta potência e altas frequências melhora as comunicações sem fios. Consequentemente, espera-se que o aumento da procura na indústria da eletrónica de consumo e nas empresas comerciais impulsione a expansão do mercado.

Desafios:

O custo elevado dos dispositivos semicondutores de GaN dificulta a sua implementação generalizada. Vários factores contribuem para o seu elevado preço. Para começar, a criação de substratos de GaN, a base sobre a qual os dispositivos são criados, exige métodos sofisticados que requerem equipamento e conhecimentos especializados.

Em comparação com materiais semicondutores mais desenvolvidos, como o silício, esta complexidade aumenta drasticamente os custos de fabrico. Além disso, a escassez de substratos de GaN de alta qualidade contribui para o seu elevado preço, restringindo as economias de escala de produção.

Tendências regionais:

O mercado norte-americano de dispositivos semicondutores de GaN deverá registar uma quota de mercado importante em termos de receitas e prevê-se que cresça a um ritmo elevado num futuro próximo. Os intervenientes significativos nos Estados Unidos, como a Cree, Inc., a Efficient Power Conversion Corporation, a Macom, a Microsemi, a Northrop

Grumman Corporation, Qorvo, Inc. e outros, contribuíram para esta expansão. A supremacia desta região deve-se também ao aumento da compra de dispositivos de nitreto de gálio e de outras tecnologias conexas nos Estados Unidos e no Canadá. A Texas Instruments Incorporated e a Qorvo, Inc. estão a solicitar financiamento para produzir dispositivos à base de GaN nos Estados Unidos.

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Desenvolvimentos recentes:

• Em junho de 2023, a NexGen acaba de declarar o início da produção dos primeiros semicondutores verticais GaN de 700V e 1200V do mundo, que apresentam as frequências de comutação mais elevadas. Os Fin-jFETs verticais GaN e-mode de 1200V desenvolvidos pela NexGen foram os únicos dispositivos de banda larga que efetivamente exibiram frequências de comutação superiores a 1 MHz a uma tensão nominal de 1,4kV.

• Em dezembro de 2021, a Microchip Technology, Inc. anunciou uma expansão substancial de seu portfólio de dispositivos de energia de radiofrequência (RF) de nitreto de gálio (GaN) com a adição de novos MMICs e transistores discretos cobrindo frequências de até 20 gigahertz (GHz). Combinando alta eficiência de potência adicionada (PAE) e alta linearidade, os dispositivos permitiram novos níveis de desempenho em aplicações que vão do 5G à guerra eletrónica, comunicações por satélite, sistemas de radar comerciais e de defesa e equipamentos de teste.

Segmentação do mercado de dispositivos semicondutores GaN-

Por tipo-

• Opto-semicondutores
• Semicondutores RF
• Semicondutores de potência

Por dispositivo

• Semicondutores discretos
• Semicondutores integrados

Por aplicação-

• Lasers de pára-raios68
• Accionamentos eléctricos
  • LiDAR
  • Accionamentos industriais
  • Accionamentos E.V.
• Fontes de alimentação & Inversores
  • SMPS
  • Inversores
  • Carregamento sem fios
  • Carregamento E.V.
• Radiofrequência (R.F.)
  • Módulo frontal (FEM)
  • Repetidor/Booster/DAS
  • Radar & Satélite

Por Vertical-

• Empresas de consumo & Empresas comerciais
• Industrial
• Automóvel
• Telecomunicações
• Aeroespacial & Defesa
• Saúde
• Energia & Eletricidade

Por gama de tensão-

• Menos de 100 V
• 100-500 V
• Mais de 500 V

Por região

América do Norte-

• Estados Unidos
• Canadá
• México

Europa-

• Alemanha
• Reino Unido
• França
• Itália
• Espanha
• Resto da Europa

Ásia-Pacífico

• China
• Japão
• Índia
• Coreia do Sul
• Sudeste Asiático
• Resto da Ásia-Pacífico

América Latina-

• Brasil
• Argentina
• Resto da América Latina

Médio Oriente & África-

• Países do CCG
• África do Sul
• Resto do Médio Oriente e África

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Sobre nós:

A InsightAce Analytic é uma empresa de consultoria e pesquisa de mercado que permite que os clientes tomem decisões estratégicas. Nossas soluções qualitativas e quantitativas de inteligência de mercado informam a necessidade de inteligência competitiva e de mercado para expandir os negócios. Ajudamos os clientes a obter uma vantagem competitiva, identificando mercados inexplorados, explorando tecnologias novas e concorrentes, segmentando mercados potenciais e reposicionando produtos. A nossa experiência consiste em fornecer relatórios de inteligência de mercado sindicalizados e personalizados com uma análise aprofundada das principais percepções de mercado de forma atempada e económica.