Mercado RF GaN explorando grandes oportunidades com as principais empresas até 2032 | com um CAGR de 31.00%

Informações sobre o mercado de RF GaN:

Em 2022, o mercado RF GaN foi estimado em US $ 0,5 bilhão. Prevê-se que o mercado de RF GaN aumente de US $ 0,655 bilhão em 2023 para US $ 5,680828 bilhões em 2032, com uma taxa composta de crescimento anual (CAGR) de 31,0 por cento para o período de previsão (2023-2032). A adoção de aplicações de energia e potência, bem como a crescente demanda por equipamentos de TI e telecomunicações são os principais fatores que impulsionam a expansão do mercado.

O setor de telecomunicações é reconhecido como um usuário proeminente da tecnologia de transformação digital, uma das principais forças por trás da digitalização global, e que está passando por uma mudança considerável em seu cenário competitivo. Os investimentos do sector das telecomunicações em tecnologia e interoperabilidade apoiaram uma mudança de paradigma nos fluxos de capital e de informação em toda a economia mundial e serviram de base para o nascimento de modelos de negócio totalmente novos em todos os sectores.

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Principais intervenientes:

• Aethercomm Inc. (EUA)
• ROHM Semiconductors (Japão)
• Analog devises Inc. (EUA)
• NXP Semiconductors NV (Países Baixos)
• STMicroelectronics NV (Suíça)
• Toshiba Corporation (Japão)
• Cree Inc. (EUA),

são os vendedores notáveis no mercado de RF GaN.

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Análise regional do mercado de RF GaN:

O relatório divide os mercados por região, cobrindo a América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico e o resto do mundo. Devido ao plano do governo de promover a expansão e o crescimento do mercado nesta região, o setor de mercado RF GaN da América do Norte dominará esse mercado.

Devido ao aumento do uso de tecnologias contemporâneas e semicondutores em várias indústrias regionais, o mercado de RF GaN na Europa detém a segunda maior participação de mercado. Além disso, o mercado de RF GaN de crescimento mais rápido da região europeia estava no Reino Unido, enquanto o mercado alemão de RF GaN tinha a maior participação de mercado. De 2023 a 2032, prevê-se que o mercado de RF GaN na Ásia-Pacífico experimente o crescimento CAGR mais rápido.

Os dispositivos GaN estão substituindo grandes sistemas baseados em tubos de ondas viajantes (TWT) em radares aerotransportados, razão pela qual a defesa continuará a ser um dos principais fatores que impulsionam a indústria GaN. Além disso, o mercado de RF GaN da região Ásia-Pacífico na China teve a maior quota de mercado e o mercado na Índia teve a taxa de expansão mais rápida.

Segmentação do mercado de RF GaN:

O mercado de RF GaN é segmentado em três tipos de GaN: GaN-On-SiC, GaN-On-Silicon e GaN-On-Diamond. O segmento de mercado GaN-On-SiC era dominante.

O mercado de RF GaN é segmentado com base no aplicativo em TI & Telecomm, Aerospace e Military & Defence. O mercado era dominado pelo sector militar e da defesa.

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O segmento militar é também impulsionado por características favoráveis como o elevado desempenho e factores de forma reduzidos. Prevê-se que a procura de artigos tecnologicamente melhorados no arsenal das forças armadas nacionais e internacionais venha a alimentar ainda mais o crescimento do mercado global. Tanto os orçamentos de defesa dos países em desenvolvimento como os dos países desenvolvidos estão sempre a aumentar.

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