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Mercado de dispositivos semicondutores GaN ultrapassara US $ 10,73 bilhoes ate 2030 por conta da expansao da infraestrutura 5G e da eletronica de consumo em rapida evolucao

Sep 15, 2023 1:57 PM ET

Ambito de mercado dos dispositivos semicondutores GaN Visao geral do &

De acordo com o relatorio SNS Insider, o mercado de dispositivos semicondutores GaN atingiu uma avaliacao de US $ 2,17 bilhoes em 2022. As projecoes indicam uma trajetoria de crescimento robusta com uma taxa composta de crescimento anual (CAGR) de 22,1% abrangendo de 2023 a 2030, impulsionando o valor de mercado para US $ 10,73 bilhoes em 2030. O mercado de dispositivos semicondutores GaN esta sendo impulsionado por uma convergencia de fatores que atendem a crescente demanda por solucoes de alto desempenho e eficiencia energetica em varios setores.

No cenario dinamico da tecnologia de semicondutores, o nitreto de galio (GaN) emergiu como um material inovador, impulsionando os dispositivos eletronicos para novos dominios de eficiencia, potencia e miniaturizacao. Os dispositivos semicondutores de GaN representam um salto transformador em relacao aos componentes tradicionais a base de silicio, oferecendo vantagens de desempenho sem paralelo que estao a moldar o futuro de varias industrias, desde a eletronica de consumo aos sistemas avancados de energia e muito mais. O que distingue o GaN dos semicondutores de silicio convencionais e a sua excecional mobilidade eletronica e o seu amplo intervalo de banda.

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Os principais participantes cobertos no relatorio de mercado de dispositivos semicondutores GaN sao:

Osram Opto-semiconductors, Panasonic Semiconductors, Texas Instruments, RF Micro Devices Corporation, Cree Incorporated, Toshiba, Aixtron SE, Infineon Technologies, Gallia Semiconductor, ROHM Company Limited, Fujitsu Ltd, NXP Semiconductors, Koninklijke Philips N.V., Nichia Corporation, Qorvo e outros.

Analise do mercado

O mercado de dispositivos semicondutores GaN esta experimentando um crescimento robusto, impulsionado por uma convergencia de fatores que estao remodelando as industrias e impulsionando a inovacao. O lancamento de redes 5G em todo o mundo esta impulsionando a demanda por dispositivos GaN no setor de telecomunicacoes. A capacidade do GaN de operar em frequencias mais altas permite a transmissao eficiente de dados de alta velocidade e a realizacao dos requisitos de maior largura de banda das redes 5G. A medida que a procura de conetividade mais rapida e fiavel aumenta, a tecnologia GaN torna-se um componente essencial para o avanco da infraestrutura 5G. A procura de dispositivos electronicos mais pequenos, mais potentes e energeticamente eficientes continua a aumentar. A tecnologia GaN facilita o desenvolvimento de adaptadores de energia compactos, carregadores rapidos e solucoes de gestao de energia para computadores portateis, smartphones, wearables e outros produtos electronicos de consumo. O aumento da velocidade de carregamento e o fator de forma reduzido proporcionado pelos dispositivos GaN alinham-se com as preferencias dos consumidores por conveniencia e portabilidade.

A segmentacao do mercado de dispositivos semicondutores GaN e a seguinte:

POR TIPO
Modo de esgotamento
Modo de cascata
Dispositivos de radiofrequencia GaN
Opto-semicondutores
Semicondutores de potencia
Semicondutores RF

POR TAMANHO DE BOLACHA
2"
4"
6"
8"

POR COMPONENTES
Transistor
Diodo
Retificador
CI de potencia
Outros

POR APLICACAO
Sinal
Alimentacao
Comunicacoes
Eletronica de consumo
Automovel
Militar & Defesa
Medicina
Iluminacao e lasers
Fontes de alimentacao e inversores
Radiofrequencia
Outros

Segmentado por regiao/pais:
America do Norte
Europa
China
Japao
Asia Outros

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Impacto da recessao

Embora as recessoes possam, sem duvida, representar desafios para o mercado de dispositivos semicondutores GaN, a extensao do seu impacto depende de varios factores, incluindo a gravidade e a duracao da recessao economica, as politicas governamentais e a capacidade de adaptacao da industria. As empresas do ecossistema GaN devem manter-se ageis, diversificar as suas aplicacoes e colaborar com todos os sectores para atravessar estes tempos dificeis e emergir mais fortes do outro lado.

Impacto da guerra entre a Russia e a Ucrania

O impacto da guerra Russia-Ucrania no mercado de dispositivos semicondutores GaN sublinha a interconexao das industrias globais. Os resultados dependem da duracao e da intensidade do conflito, da capacidade de adaptacao dos fabricantes aos desafios da cadeia de abastecimento e da resiliencia do sector tecnologico no seu conjunto. Embora as perturbacoes imediatas possam ser evidentes, as consequencias a longo prazo dependerao da capacidade dos intervenientes do sector para navegar nas complexidades colocadas pelo conflito e ajustar as suas estrategias em conformidade.

Principais desenvolvimentos regionais

A America do Norte continua a ser pioneira na adocao de dispositivos semicondutores GaN, gracas ao seu solido ecossistema de investigacao e desenvolvimento e aos numerosos gigantes tecnologicos que investem em tecnologias de ponta. A regiao da Asia-Pacifico, conhecida pela sua proeza no fabrico de semicondutores, tornou-se rapidamente um ator-chave no mercado dos dispositivos semicondutores GaN. Paises como a China, o Japao, a Coreia do Sul e Taiwan intensificaram os seus esforcos para desenvolver e fabricar dispositivos GaN em grande escala. O compromisso da Europa para com a sustentabilidade e a eficiencia energetica impulsionou a adocao de dispositivos semicondutores GaN, sobretudo no dominio das energias renovaveis e da eletronica de potencia. As rigorosas normas de eficiencia energetica da regiao levaram a integracao de dispositivos GaN em sistemas de conversao de energia para inversores solares, turbinas eolicas e estacoes de carregamento de veiculos electricos.

Principais conclusoes do estudo de mercado dos dispositivos semicondutores GaN

- Os segmentos de modo de deplecao representam um salto significativo na tecnologia GaN, oferecendo vantagens inigualaveis na gestao de energia e amplificacao de sinal. Ao contrario dos dispositivos de modo de melhoramento que requerem uma tensao positiva para funcionar, os dispositivos de modo de esgotamento funcionam inerentemente num estado "ligado" com tensao de porta zero.

- O segmento de transistores no dominio dos semicondutores GaN esta igualmente preparado para revolucionar as industrias que exigem densidades de potencia mais elevadas e um melhor desempenho. Os transistores GaN possuem capacidades notaveis para lidar com niveis de tensao e densidades de corrente mais elevados, o que os posiciona como candidatos ideais para diversas aplicacoes.

Desenvolvimentos recentes relacionados com o mercado de dispositivos de semicondutores GaN

- Num desenvolvimento inovador, a Transphorm, uma empresa lider em tecnologia especializada em materiais avancados e solucoes inovadoras, garantiu um notavel contrato de 15 milhoes de dolares do National Security Technology Accelerator (NSTA).

- A Transphorm, uma empresa pioneira no dominio da tecnologia de nitreto de galio (GaN), anunciou uma expansao significativa da sua presenca global com a criacao de um laboratorio de aplicacoes GaN de vanguarda na China.

Indice - Analise dos pontos principais

1. Introducao
2. Metodologia da investigacao
3. Dinamica do mercado
4. Analise de impacto
4.1 Analise do impacto da COVID-19
4.2 Impacto da guerra entre a Ucrania e a Russia
4.3 Impacto da atual recessao nas principais economias
5. Analise da cadeia de valor
6. Modelo das 5 forcas de Porter
7. Analise PEST
8. Segmentacao do mercado de dispositivos semicondutores GaN, por tipo
9. Segmentacao do mercado de dispositivos semicondutores GaN, por tamanho de wafer
10. Segmentacao do mercado de dispositivos semicondutores de GaN, por aplicacao
11. Analise regional
12. Perfis de empresas
13. Cenario competitivo
14. Conclusao

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